Shockley William

William Bradford Shockley est né à Londres le 13 février 1910.

Sa famille, originaire des États-Unis, y retourne dès 1913. Il étudie au California Institute of Technology et au MIT, Massachusetts Institute of Technology, où il obtient son doctorat en 1936. Après sa thèse, il rejoint les laboratoires Bell ; c’est dans ce cadre qu’en 1947, deux de ses chercheurs, John Bardeen et Walter Brattain, mettent au point le premier transistor que lui-même améliore un an plus tard en créant le transistor à jonctions.

Sa tentative de commercialisation de ce nouveau type de transistor dans les années 1950 et 1960 est directement à l’origine de la création de la Silicon Valley. En 1956, William Schockley, John Bardeen et Walter Brattain sont colauréats du prix Nobel de physique « pour leurs recherches sur les semi-conducteurs et leur découverte de l’effet transistor ».

En 1955, il démissionne pour devenir directeur de son propre laboratoire chez Beckman Instruments, où il se consacre au développement de la recherche et de la production de nouveaux transistors et d’autres dispositifs semi-conducteurs. En 1963, il est nommé professeur de sciences de l’ingénieur à l’université de Stanford.
Il reçoit de nombreux prix, dont la Médaille du Mérite en 1946, le Prix Morris Leibmann Mémorial de l’Institut des ingénieurs radio en 1952, le B. Award Cyrus Comstock de l’Académie nationale des sciences en 1954, sans oublier le prix Nobel de physique en 1956. En 1963, on lui remet la Médaille de Holley de l’American Society of Mechanical Engineers. Il est désigné par le Time Magazine comme l’une des 100 personnes les plus influentes du XXe siècle.

William Bradford Shockley meurt le 12 août 1989.

Source

William B. Shockley – Biography, Nobel Lectures, Physics 1942-1962, Elsevier Publishing Company, Amsterdam, 1964.